物理特性EPOCH 650型儀器是一款輕重量、易攜帶的探傷儀,堅(jiān)固耐用、靈活變通,幾乎適用于任何檢測(cè)應(yīng)用。其主要物理特性如下:
標(biāo)準(zhǔn)套裝
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儀器的輸入/輸出 | USB端口 | USB(OTG)端口 |
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RS-232端口 | 有 | |
視頻輸出 | 標(biāo)準(zhǔn)VGA輸出 | |
1個(gè)模擬輸出(可選),可選的1 V/10 V全標(biāo)度,最大4 mA | ||
報(bào)警輸出 | 3個(gè)報(bào)警輸出,5V TTL,10 mA | |
觸發(fā)器I/O | 觸發(fā)器輸入為5V TTL; 觸發(fā)器輸出為5V TTL,最大10 mA | |
編碼器輸入 | 單軸編碼器線(正交,僅適用于腐蝕模塊模式) | |
環(huán)境評(píng)級(jí) | IP評(píng)級(jí) | 根據(jù)IEC 60529-2004標(biāo)準(zhǔn)(外殼防護(hù)等級(jí)– IP規(guī)范),帶有瀏覽鍵區(qū)的儀器設(shè)計(jì)符合IP67侵入保護(hù)評(píng)級(jí)標(biāo)準(zhǔn),帶有飛梭旋鈕的儀器設(shè)計(jì)符合IP66侵入保護(hù)評(píng)級(jí)標(biāo)準(zhǔn)。 在新開發(fā)的產(chǎn)品正式投入生產(chǎn)以前,奧林巴斯要對(duì)產(chǎn)品的設(shè)計(jì)進(jìn)行內(nèi)部檢驗(yàn)。這款儀器經(jīng)測(cè)試證明符合IP評(píng)級(jí)標(biāo)準(zhǔn)。 |
爆炸性氣氛 | 通過美軍標(biāo)準(zhǔn)MIL-STD-810F方法511.4程序I中規(guī)定的測(cè)試,可在國(guó)家防火協(xié)會(huì)規(guī)范(NFPA 70)500節(jié)I級(jí)2分段D組中定義的爆炸性氣氛中安全操作。 | |
撞擊測(cè)試 | 通過了美軍標(biāo)準(zhǔn)MIL-STD-810F方法516.5程序I中規(guī)定的測(cè)試,每個(gè)軸6個(gè)循環(huán),15g,11 ms半弦波。 | |
振動(dòng)測(cè)試 | 通過了美軍標(biāo)準(zhǔn)MIL-STD-810F方法514.5程序I附錄C圖6中的測(cè)試,一般暴露:每軸1小時(shí)。 | |
操作溫度 | –10°C ~ 50°C | |
電池存儲(chǔ)溫度 | 0°C ~ 50°C | |
一般規(guī)格 | 總體尺寸(寬 × 高 × 厚) | 236 mm × 167 mm × 70 mm |
重量 | 1.6公斤,包括鋰離子電池 | |
鍵區(qū) | 英文、國(guó)際符號(hào)、日文、中文 | |
語言 | 英語、西班牙語、法語、德語、日語、中文、葡萄牙語和俄語 | |
探頭連接 | BNC接口或 LEMO接口 | |
數(shù)據(jù)存儲(chǔ) | 機(jī)載100000個(gè)ID編碼,可插拔2 GB microSD卡(標(biāo)準(zhǔn)) | |
電池類型 | 單個(gè)標(biāo)準(zhǔn)充電鋰離子電池 | |
電池供電時(shí)間 | 15到16小時(shí)(鋰離子) | |
電源要求 | AC主電源:100 VAC ~ 120 VAC、200 VAC ~ 240 VAC,50 Hz ~ 60 Hz | |
顯示器類型 | 全VGA(640 × 480像素)透反彩色LCD,60 Hz更新速率 | |
顯示屏尺寸(寬 × 高,對(duì)角線) | 117 mm × 89 mm,146 mm(5.76 in.) | |
脈沖發(fā)生器 | 脈沖發(fā)生器 | 可調(diào)方波 |
脈沖重復(fù)頻率(PRF) | 10 Hz ~ 2000 Hz,增量為10 Hz | |
能量設(shè)置 | 100 V、200 V、300 V或400 V | |
脈沖寬度 | 25 ns ~ 5000 ns(0.1 MHz)范圍內(nèi)可調(diào),利用PerfectSquare技術(shù) | |
阻尼 | 50、100、200、400 Ω | |
接收器 | 增益 | 0 ~ 110 dB |
最大輸入信號(hào) | 20 V p-p | |
接收器輸入阻抗 | 400 Ω ± 5% | |
接收器帶寬 | 0.2 MHz ~ 26.5 MHz,–3 dB | |
數(shù)字式濾波器設(shè)置 | 30個(gè)標(biāo)準(zhǔn)數(shù)字式濾波器設(shè)置 7個(gè)符合ISO-22232:2010標(biāo)準(zhǔn)的濾波設(shè)置(0.2-10 MHz、2.0-21.5 MHz、8.0-26.5 MHz、0.5-4 MHz、0.2-1.2 MHz、1.5-8.5 MHz和5-15 MHz) | |
檢波 | 全波、正半波、負(fù)半波、射頻波 | |
系統(tǒng)線性 | 水平:±0.5% FSW(滿屏寬) | |
分辨率 | 0.25%滿屏高,放大器精度為±1 dB | |
抑制 | 0 ~ 80%滿屏高,帶有可視警告 | |
波幅測(cè)量 | 0 ~ 110%滿屏高,分辨率為0.25% | |
測(cè)量速率 | 在所有模式下,相當(dāng)于脈沖重復(fù)頻率(PRF) | |
校準(zhǔn) | 自動(dòng)校準(zhǔn) | 聲速,零位偏移 垂直聲束(第一個(gè)底面回波,或回波到回波) 角度聲束(聲程或者深度) |
檢測(cè)模式 | 脈沖回波、一發(fā)一收或穿透 | |
單位 | 毫米、英寸或微秒 | |
范圍 | 3.36 mm ~ 13388 m,5900 m/s | |
聲速 | 635 m/s ~ 15240 m/s | |
零位偏移 | 0 µs ~ 750 µs | |
顯示延遲 | -59 mm ~ 13401 mm, 在鋼中縱波聲速下 | |
折射角度 | 0° ~ 90°,增量為0.1° | |
閘門 | 測(cè)量閘門 | 2個(gè)獨(dú)立的閘門,用于波幅和渡越時(shí)間(TOF)的測(cè)量 |
閘門起始 | 在整個(gè)顯示范圍內(nèi)可變 | |
閘門寬度 | 在從閘門起點(diǎn)到顯示范圍的終點(diǎn)之間的區(qū)域內(nèi)可變 | |
閘門高度 | 在2% ~ 95%滿屏高范圍內(nèi)可變 | |
報(bào)警 | 正閾值和負(fù)閾值,最小深度(閘門1和閘門2) | |
測(cè)量 | 測(cè)量顯示位置 | 5個(gè)位置(手動(dòng)或自動(dòng)選擇) |
閘門(1和2) | 厚度、聲程、投射、深度、波幅、渡越時(shí)間、最小/最大深度、最小/最大波幅 | |
回波到回波 | 標(biāo)準(zhǔn)閘門2到閘門1,可選界面閘門跟蹤 | |
其他測(cè)量 | DGS/AVG的上沖值(dB)、DGS/AVG的ERS(等效反射體大?。?、AWS D1.1/D1.5的A、B、C和D值、抑制值、回波到參考dB值 | |
DAC/TCG | 標(biāo)準(zhǔn) | |
DAC點(diǎn) | 多達(dá)50個(gè)點(diǎn),110 dB動(dòng)態(tài)范圍 | |
特殊DAC模式 | 自定義DAC(最多6條曲線),20-80%視圖 | |
曲面校正 | 用于角度聲束測(cè)量的標(biāo)準(zhǔn)外徑或棒材校正 | |
腐蝕(可選) | 交叉零點(diǎn)測(cè)量算法、V聲程校正、單一回波、回波到回波、編碼B掃描 |
如果您在爆炸性環(huán)境中工作,那么您可以使用EPOCH 650 Ex探傷儀,因?yàn)檫@款探傷儀符合《防爆指令》中的要求。要了解更多信息,請(qǐng)閱讀有關(guān)《防爆指令》的常見問題解答。
• EP650-TEMPLATE (Q1400002):模板存儲(chǔ)
• EP650-API5UE (Q1400003):API 5UE缺陷定量
• EP650-AVERAGE (Q1400004):波形平均
• EP650-IG (Q1400005):界面閘門
• EP650-BEA (Q1400006):底面回波衰減器(BEA)
• EP650-CORRSN (Q1400001):腐蝕模塊(包含編碼B掃描)
• 600-BAT-L-2 (U8760058):充電鋰離子電池
• EP4/CH (U8140055):胸掛帶
• 600-TC (U8780294):運(yùn)輸箱
• CBAS-10668-0060 (Q7790012):RS232通信線
• DSUB-HD15-6 (U8780333):數(shù)字輸出線
• 600-C-VGA-5 (U8780298):VGA輸出線
• MICROSD-ADP-2GB (U8779307):2 GB microSD存儲(chǔ)卡
• 600-SC-K (U8780334):軟便攜袋(飛梭旋鈕機(jī)型)
• 600-SC-N (U8779879):軟便攜袋(瀏覽鍵區(qū)機(jī)型)
• N600-EXTALM (U8780332):外置報(bào)警蜂鳴器
• CBAS-10669-0010 (Q7790008):B掃描小車形編碼器電纜(10英尺,還可提供其他長(zhǎng)度的電纜)